英特爾公司已完成新一代製程的開發，該製程可將晶片線路進一步縮小至 32奈米 (nm) ，一奈米相當於一米的十億分之一。英特爾將依計畫於2009年第四季運用這種新世代製程技術投產，以推出更大能源效率、更高密度、效能更強的電晶體。

英特爾預計下週在美國舊金山舉辦的國際電子元件會議 (International Electron Devices meeting, IEDM)中，進行簡報公佈更多與32nm 製程相關的技術細節，以及其他相關主題。英特爾依既定時程完成32nm製程開發與投產準備，意味著該公司依循其 “tick-tock” (鐘擺模式) 策略，準時推出一系列更具企圖心的新產品和先進製程。

該計畫在於以約 12個月為週期，交替推出全新處理器微架構，以及最先進製程，這是業界無與倫比的方案。英特爾於明年進入32nm 晶片生產代表著英特爾將連續四年達成其“tick-tock”的目標。

英特爾 32nm論文與簡報所描述的技術將包括第二代high-k、金屬閘極技術、重要圖層 (patterning layers) 採用193nm 沉浸式微影技術 (immersion lithography)、以及強化電晶體應變 (strain) 技術。這些功能可強化英特爾處理器的效能與能源效率。英特爾製程所產出的電晶體效能和電晶體密度也超過業界公佈的任何32nm 技術。

「由於我們卓越的製程和隨之催生的產品，以英特爾技術為基礎的筆記型電腦、伺服器、和桌上型電腦將在運算效能和電池壽命方面擴大領先優勢。」英特爾資深院士暨製程架構和整合總監Mark Bohr表示：「今年我們已顯示，製造策略與執行使我們得以創造全新的產品如移動聯網裝置 (MIDs)、消費電子 (CE) 設備、嵌入式運算和 netbook產品系列。」

其他英特爾 IEDM的相關文件將描述：以英特爾45nm 製程生產的低耗電系統單晶片(system on chip) ；以化合物半導體 (compound semiconductor) 為基礎的電晶體；運用基板工程(substrate engineering) 改善45nm電晶體效能；45nm 與更小節點採用整合化學機械式研磨；以及整合各種矽光調變器 (silicon photonics modulators)。此外，英特爾也將參與 22nm CMOS技術的課程。